RK7002BT116

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RK7002BT116

EXSHINE Modelo do Produto:EX-RK7002BT116
Fabricante Modelo do Produto:RK7002BT116
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT-23
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor SST3
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Dissipação de energia (Max) 200mW (Ta)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes RK7002BT116TR
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante RK7002BT116
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs -
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 60V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 2.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60V
Descrição MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT-23
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 250mA (Ta)

Outras

Outros nomes RK7002BT116TR
Pacote padrão 3,000

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