RQ5E070BNTCL

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RQ5E070BNTCL

EXSHINE Modelo do Produto:EX-RQ5E070BNTCL
Fabricante Modelo do Produto:RQ5E070BNTCL
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:RQ5E070BN
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RQ5E070BNTCL
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TSMT3
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 16.1 mOhm @ 7A, 10V
Dissipação de energia (Max) 1W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SC-96
Outros nomes RQ5E070BNTCLTR
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 10 Weeks
Número de peça do fabricante RQ5E070BNTCL
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 30V 7A (Tc) 1W (Tc) Surface Mount TSMT3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)

Outras

Pacote padrão 3,000
Outros nomes RQ5E070BNTCLTR

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