RSR010N10TL

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RSR010N10TL

EXSHINE Modelo do Produto:EX-RSR010N10TL
Fabricante Modelo do Produto:RSR010N10TL
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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RSR010N10TL
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TSMT3
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 520 mOhm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max) 540mW (Ta)
Embalagem Original-Reel®
Caixa / Gabinete SC-96
Outros nomes RSR010N10TLDKR
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 10 Weeks
Número de peça do fabricante RSR010N10TL
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 5V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 100V 1A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100V
Descrição MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 1A (Ta)

Outras

Pacote padrão 1
Outros nomes RSR010N10TLDKR

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