RSS090P03TB

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RSS090P03TB

EXSHINE Modelo do Produto:EX-RSS090P03TB
Fabricante Modelo do Produto:RSS090P03TB
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:RSS090P03
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SOP
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 14 mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2W (Ta)
Embalagem Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes RSS090P03TBCT
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante RSS090P03TB
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 5V
Tipo FET P-Channel
Característica FET -
Descrição expandida P-Channel 30V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)

Outras

Pacote padrão 1
Outros nomes RSS090P03TBCT

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