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SH8M4TB1
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-SH8M4TB1 |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | SH8M4TB1 |
| Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Descrição breve: | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | SP8M4SH8M4 |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
SH8M4TB1
Em estoque: 89229000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-SOP |
| Série | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 18 mOhm @ 9A, 10V |
| Power - Max | 2W |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes | SH8M4TB1TR SP8M4TB SP8M4TBTR SP8M4TBTR-ND |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante | SH8M4TB1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Descrição expandida | Mosfet Array N and P-Channel 30V 9A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30V |
| Descrição | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 9A, 7A |
Outras
| Pacote padrão | 2,500 |
|---|---|
| Outros nomes | SH8M4TB1TR SP8M4TB SP8M4TBTR SP8M4TBTR-ND |
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Distribuidor de Rohm Semiconductor
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