EXSHINE Modelo do Produto: | EX-US6M2TR |
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Fabricante Modelo do Produto: | US6M2TR |
Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
Descrição breve: | MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6 |
Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Condição: | New and unused, Original |
Download da Ficha Técnica: | US6M2 |
Inscrição: | - |
Peso: | - |
Substituição Alternativa: | - |
VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
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Embalagem do dispositivo fornecedor | TUMT6 |
Série | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Power - Max | 1W |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | 6-SMD, Flat Leads |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 10 Weeks |
Número de peça do fabricante | US6M2TR |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 10V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Standard |
Descrição expandida | Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6 |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30V, 20V |
Descrição | MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 1.5A, 1A |
Pacote padrão | 3,000 |
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