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TC6320K6-G
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-TC6320K6-G |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | TC6320K6-G |
| Fabricante / Marca: | Microchip Technology |
| Descrição breve: | MOSFET N/P-CH 200V 8VDFN |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | TC6320 |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
TC6320K6-G
Em estoque: 21200 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-DFN (4x4) |
| Série | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 7 Ohm @ 1A, 10V |
| Power - Max | - |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | 8-VDFN Exposed Pad |
| Outros nomes | TC6320K6-G-ND TC6320K6-GTR |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 12 Weeks |
| Número de peça do fabricante | TC6320K6-G |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Característica FET | Standard |
| Descrição expandida | Mosfet Array N and P-Channel 200V Surface Mount 8-DFN (4x4) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 200V |
| Descrição | MOSFET N/P-CH 200V 8VDFN |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | - |
Outras
| Pacote padrão | 3,300 |
|---|---|
| Outros nomes | TC6320K6-G-ND TC6320K6-GTR |
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Distribuidor de Microchip Technology
- Fundada em 1998, a Micro Commercial Components Corp. (MCC) é fornecedora de semicondutores discretos de alta qualidade para os mercados consumidores. Os produtos da MCC incluem diodos, retificadores, transistores, MOSFETs, reguladores de tensão e dispositivos de proteção.