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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - RF > 3135GN-170M

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3135GN-170M

EXSHINE Modelo do Produto:EX-3135GN-170M
Fabricante Modelo do Produto:3135GN-170M
Fabricante / Marca:Microsemi
Descrição breve:FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:3135GN-170M
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Parâmetro do produto

Tensão - Teste 60V
Tensão - M 150V
Tipo transistor 2 N-Channel (Dual) Common Source
Embalagem do dispositivo fornecedor 55QP
Série -
Potência 185W
Embalagem Bulk
Caixa / Gabinete 55QP
Fator de ruído -
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante 3135GN-170M
Ganho 11.5dB ~ 11.8dB
Freqüência 3.1GHz ~ 3.5GHz
Descrição expandida RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 500mA 3.1GHz ~ 3.5GHz 11.5dB ~ 11.8dB 185W 55QP
Descrição FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP
Potência nominal 5mA
Atual - Teste 500mA

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