APT12067B2FLLG

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APT12067B2FLLG

EXSHINE Modelo do Produto:EX-APT12067B2FLLG
Fabricante Modelo do Produto:APT12067B2FLLG
Fabricante / Marca:Microsemi
Descrição breve:MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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2500+:
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5000+:
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10000+:
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor T-MAX™ [B2]
Série POWER MOS 7®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 670 mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max) 565W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-247-3 Variant
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante APT12067B2FLLG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4420pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 1200V (1.2kV) 18A (Tc) 565W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 1200V (1.2kV)
Descrição MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)

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