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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > APT12M80B
APT12M80B

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APT12M80B

EXSHINE Modelo do Produto:EX-APT12M80B
Fabricante Modelo do Produto:APT12M80B
Fabricante / Marca:Microsemi
Descrição breve:MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:Power Products CatalogAPT12M80(B,S)
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-247 [B]
Série POWER MOS 8™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 800 mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max) 335W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-247-3
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 22 Weeks
Número de peça do fabricante APT12M80B
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2470pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 800V 13A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 800V
Descrição MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)

Outras

Pacote padrão 30

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