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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - Single > APT150GN60B2G
APT150GN60B2G

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APT150GN60B2G

EXSHINE Modelo do Produto:EX-APT150GN60B2G
Fabricante Modelo do Produto:APT150GN60B2G
Fabricante / Marca:Microsemi
Descrição breve:IGBT 600V 220A 536W SOT227
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:APT150GN60B2G
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Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic 1.85V @ 15V, 150A
Condição de teste 400V, 150A, 1 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C 44ns/430ns
Alternando Energia 8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
Série -
Power - Max 536W
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-247-3 Variant
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 22 Weeks
Número de peça do fabricante APT150GN60B2G
Tipo de entrada Standard
Tipo de IGBT Trench Field Stop
portão de carga 970nC
Descrição expandida IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole
Descrição IGBT 600V 220A 536W SOT227
Atual - Collector Pulsada (ICM) 450A
Atual - Collector (Ic) (Max) 220A

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Pacote padrão 30

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Distribuidor de Microsemi Corporation

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