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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - Single > APT200GN60B2G
APT200GN60B2G

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APT200GN60B2G

EXSHINE Modelo do Produto:EX-APT200GN60B2G
Fabricante Modelo do Produto:APT200GN60B2G
Fabricante / Marca:Microsemi
Descrição breve:IGBT 600V 283A 682W TO247
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:APT200GN60B2GPower Products Catalog
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Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic 1.85V @ 15V, 200A
Condição de teste 400V, 200A, 1 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C 50ns/560ns
Alternando Energia 13mJ (on), 11mJ (off)
Série -
Power - Max 682W
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-247-3
Outros nomes APT200GN60B2GMI
APT200GN60B2GMI-ND
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 22 Weeks
Número de peça do fabricante APT200GN60B2G
Tipo de entrada Standard
Tipo de IGBT Trench Field Stop
portão de carga 1180nC
Descrição expandida IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole
Descrição IGBT 600V 283A 682W TO247
Atual - Collector Pulsada (ICM) 600A
Atual - Collector (Ic) (Max) 283A

Outras

Outros nomes APT200GN60B2GMI

APT200GN60B2GMI-ND
Pacote padrão 30

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Distribuidor de Microsemi Corporation

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