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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - Single > APT64GA90B2D30
APT64GA90B2D30

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APT64GA90B2D30

EXSHINE Modelo do Produto:EX-APT64GA90B2D30
Fabricante Modelo do Produto:APT64GA90B2D30
Fabricante / Marca:Microsemi
Descrição breve:IGBT 900V 117A 500W TO-247
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:APT64GA90x(2)D30
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APT64GA90B2D30
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Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 900V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic 3.1V @ 15V, 38A
Condição de teste 600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C 18ns/131ns
Alternando Energia 1192µJ (on), 1088µJ (off)
Série POWER MOS 8™
Power - Max 500W
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-247-3 Variant
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 22 Weeks
Número de peça do fabricante APT64GA90B2D30
Tipo de entrada Standard
Tipo de IGBT PT
portão de carga 162nC
Descrição expandida IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole
Descrição IGBT 900V 117A 500W TO-247
Atual - Collector Pulsada (ICM) 193A
Atual - Collector (Ic) (Max) 117A

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Pacote padrão 30

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Distribuidor de Microsemi Corporation

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