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APT70GR65B2SCD30
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-APT70GR65B2SCD30 |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | APT70GR65B2SCD30 |
| Fabricante / Marca: | Microsemi |
| Descrição breve: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | APT70GR65B2SCD30 |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
APT70GR65B2SCD30
Em estoque: 46680 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 650V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic | 2.4V @ 15V, 70A |
| Condição de teste | 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (ligar / desligar) @ 25 ° C | 19ns/170ns |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | T-MAX™ [B2] |
| Série | * |
| Power - Max | 595W |
| Embalagem | Bulk |
| Caixa / Gabinete | TO-247-3 |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 22 Weeks |
| Número de peça do fabricante | APT70GR65B2SCD30 |
| Tipo de IGBT | NPT |
| portão de carga | 305nC |
| Descrição expandida | IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Descrição | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Atual - Collector Pulsada (ICM) | 260A |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 134A |
Outras
| Pacote padrão | 1 |
|---|
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