APTGL475U120DAG

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EXSHINE Modelo do Produto:	EX-APTGL475U120DAG
Fabricante Modelo do Produto:	APTGL475U120DAG
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descrição breve:	POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6
Status sem chumbo / Status RoHS:	Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:	New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:	APTGL475U120DAG
Inscrição:	-
Peso:	-
Substituição Alternativa:	-

Disponibilidade em tempo real de

APTGL475U120DAG
Em estoque: 2758 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas

Descrição
Forma de pagamento
Remessa
Embalagem

Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)	1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic	2.2V @ 15V, 400A
Embalagem do dispositivo fornecedor	SP6
Série	-
Power - Max	2307W
Caixa / Gabinete	SP6
Temperatura de operação	-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor	No
Tipo de montagem	Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)	1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante	22 Weeks
Número de peça do fabricante	APTGL475U120DAG
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce	24.6nF @ 25V
Entrada	Standard
Tipo de IGBT	Trench Field Stop
Descrição expandida	IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 610A 2307W Chassis Mount SP6
Descrição	POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6
Atual - Collector Cutoff (Max)	4mA
Atual - Collector (Ic) (Max)	610A
Configuração	Single

Outras

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