APTGT75A1202G

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EXSHINE Modelo do Produto:	EX-APTGT75A1202G
Fabricante Modelo do Produto:	APTGT75A1202G
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descrição breve:	MOD IGBT 1200V 110A SP2
Status sem chumbo / Status RoHS:	Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:	New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:	APTGT75A1202G
Inscrição:	-
Peso:	-
Substituição Alternativa:	-

Disponibilidade em tempo real de

APTGT75A1202G
Em estoque: 17720 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas

Descrição
Forma de pagamento
Remessa
Embalagem

Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)	1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic	2.1V @ 15V, 75A
Embalagem do dispositivo fornecedor	SP2
Série	-
Power - Max	357W
Caixa / Gabinete	SP2
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor	No
Tipo de montagem	Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)	1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante	22 Weeks
Número de peça do fabricante	APTGT75A1202G
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce	5.34nF @ 25V
Entrada	Standard
Tipo de IGBT	Trench Field Stop
Descrição expandida	IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 110A 357W Chassis Mount SP2
Descrição	MOD IGBT 1200V 110A SP2
Atual - Collector Cutoff (Max)	50µA
Atual - Collector (Ic) (Max)	110A
Configuração	Half Bridge

Outras

Pacote padrão	1

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