APTM120H29FG

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APTM120H29FG

EXSHINE Modelo do Produto:EX-APTM120H29FG
Fabricante Modelo do Produto:APTM120H29FG
Fabricante / Marca:Microsemi
Descrição breve:MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Embalagem do dispositivo fornecedor SP6
Série POWER MOS 7®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 348 mOhm @ 17A, 10V
Power - Max 780W
Embalagem Bulk
Caixa / Gabinete SP6
Outros nomes APTM120H29FGMI
APTM120H29FGMI-ND
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 22 Weeks
Número de peça do fabricante APTM120H29FG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 374nC @ 10V
Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge)
Característica FET Standard
Descrição expandida Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP6
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 1200V (1.2kV)
Descrição MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 34A

Outras

Outros nomes APTM120H29FGMI

APTM120H29FGMI-ND
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