JAN2N3637

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EXSHINE Modelo do Produto:	EX-JAN2N3637
Fabricante Modelo do Produto:	JAN2N3637
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descrição breve:	TRANS PNP 175V 1A
Status sem chumbo / Status RoHS:	Contém chumbo / RoHS não compatível
Condição:	New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:	2N3634-37(L,UB)
Inscrição:	-
Peso:	-
Substituição Alternativa:	-

Disponibilidade em tempo real de

JAN2N3637
Em estoque: 45320 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas

Descrição
Forma de pagamento
Remessa
Embalagem

Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)	175V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor	PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor	TO-39
Série	Military, MIL-PRF-19500/357
Power - Max	1W
Embalagem	Bulk
Caixa / Gabinete	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Outros nomes	1086-20890 1086-20890-MIL
Temperatura de operação	-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)	1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante	23 Weeks
Número de peça do fabricante	JAN2N3637
Frequência - Transição	-
Descrição expandida	Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-39
Descrição	TRANS PNP 175V 1A
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce	100 @ 50mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)	10µA
Atual - Collector (Ic) (Max)	1A

Outras

Outros nomes	1086-20890 1086-20890-MIL
Pacote padrão	1

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