JANTX1N6641US

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EXSHINE Modelo do Produto:	EX-JANTX1N6641US
Fabricante Modelo do Produto:	JANTX1N6641US
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descrição breve:	DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
Status sem chumbo / Status RoHS:	Contém chumbo / RoHS não compatível
Condição:	New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:	1N6639-41US
Inscrição:	-
Peso:	-
Substituição Alternativa:	-

Disponibilidade em tempo real de

JANTX1N6641US
Em estoque: 74480 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas

Descrição
Forma de pagamento
Remessa
Embalagem

Parâmetro do produto

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se	1.1V @ 300mA
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)	50V
Embalagem do dispositivo fornecedor	D-5B
Velocidade	Fast Recovery = 200mA (Io)
Série	Military, MIL-PRF-19500/609
Inversa de tempo de recuperação (trr)	5ns
Embalagem	Bulk
Caixa / Gabinete	SQ-MELF, B
Outros nomes	1086-20019 1086-20019-MIL
Temperatura de Operação - Junção	-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem	Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)	1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante	12 Weeks
Número de peça do fabricante	JANTX1N6641US
Descrição expandida	Diode Standard 50V 300mA (DC) Surface Mount D-5B
Tipo Diode	Standard
Descrição	DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
Atual - dispersão reversa @ Vr	100µA @ 50V
Atual - rectificada média (Io)	300mA (DC)
Capacitância @ Vr, F	-

Outras

Pacote padrão	1
Outros nomes	1086-20019 1086-20019-MIL

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