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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - RF > MS652S

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MS652S

EXSHINE Modelo do Produto:EX-MS652S
Fabricante Modelo do Produto:MS652S
Fabricante / Marca:Microsemi
Descrição breve:TRANS RF BIPO 25W 2A M123
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:MS652(S)
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MS652S
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Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 16V
Tipo transistor NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor M123
Série -
Power - Max 25W
Embalagem Bulk
Caixa / Gabinete M123
Temperatura de operação 200°C (TJ)
Fator de ruído (dB Typ @ f) -
Tipo de montagem Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante MS652S
Ganho 10dB
Frequência - Transição 450MHz ~ 512MHz
Descrição expandida RF Transistor NPN 16V 2A 450MHz ~ 512MHz 25W Chassis Mount M123
Descrição TRANS RF BIPO 25W 2A M123
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 200mA, 5V
Atual - Collector (Ic) (Max) 2A

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