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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > SG2003J
SG2003J

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SG2003J

EXSHINE Modelo do Produto:EX-SG2003J
Fabricante Modelo do Produto:SG2003J
Fabricante / Marca:Microsemi
Descrição breve:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:SG2000
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SG2003J
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Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo transistor 7 NPN Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor 16-CDIP
Série -
Power - Max -
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete 16-CDIP (0.300", 7.62mm)
Outros nomes 1259-1080
1259-1080-MIL
1259-1080-ND
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante SG2003J
Frequência - Transição -
Descrição expandida Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
Descrição TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max) -
Atual - Collector (Ic) (Max) 500mA

Outras

Outros nomes 1259-1080

1259-1080-MIL

1259-1080-ND
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Distribuidor de Microsemi Corporation

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