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2SK1058-E
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-2SK1058-E |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | 2SK1058-E |
| Fabricante / Marca: | Renesas Electronics America |
| Descrição breve: | MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | 2SK1056/7/8 |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
2SK1058-E
Em estoque: 16140 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | - |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-3P |
| Série | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | - |
| Dissipação de energia (Max) | 100W (Tc) |
| Embalagem | Tube |
| Caixa / Gabinete | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante | 2SK1058-E |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - |
| Descrição expandida | N-Channel 160V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 160V |
| Descrição | MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
Outras
| Pacote padrão | 1 |
|---|
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Distribuidor de Renesas Electronics America
- A RF Digital fabrica uma extensa linha de Módulos Transmissores, Receptores e Transceptores RF sem fio configuráveis, adequados para quase todos os tipos de aplicações. Os módulos são totalmente integrados, de alta qualidade e baixo custo para beneficiar qualquer aplicação. A linha de produtos RFDuino oferece uma linha expansiva de módulos, incluindo sensor, USB, proto shields e outros para testar o Bluetooth Low Energy em um ambiente de protótipo plug and play.