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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NP80N055MHE-S18-AY
NP80N055MHE-S18-AY

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NP80N055MHE-S18-AY

EXSHINE Modelo do Produto:EX-NP80N055MHE-S18-AY
Fabricante Modelo do Produto:NP80N055MHE-S18-AY
Fabricante / Marca:Renesas Electronics America
Descrição breve:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:NP80N055xHE
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220-3
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 11 mOhm @ 40A, 10V
Dissipação de energia (Max) 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-220-3
Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 16 Weeks
Número de peça do fabricante NP80N055MHE-S18-AY
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 55V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 55V
Descrição MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)

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Distribuidor de Renesas Electronics America

- A RF Digital fabrica uma extensa linha de Módulos Transmissores, Receptores e Transceptores RF sem fio configuráveis, adequados para quase todos os tipos de aplicações. Os módulos são totalmente integrados, de alta qualidade e baixo custo para beneficiar qualquer aplicação. A linha de produtos RFDuino oferece uma linha expansiva de módulos, incluindo sensor, USB, proto shields e outros para testar o Bluetooth Low Energy em um ambiente de protótipo plug and play.

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