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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NP88N055KUG-E1-AY
NP88N055KUG-E1-AY

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NP88N055KUG-E1-AY

EXSHINE Modelo do Produto:EX-NP88N055KUG-E1-AY
Fabricante Modelo do Produto:NP88N055KUG-E1-AY
Fabricante / Marca:Renesas Electronics America
Descrição breve:MOSFET N-CH 55V 88A TO-263
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:NP88N055KUG
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-263
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3.9 mOhm @ 44A, 10V
Dissipação de energia (Max) 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante NP88N055KUG-E1-AY
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 55V 88A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount TO-263
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 55V
Descrição MOSFET N-CH 55V 88A TO-263
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 88A (Tc)

Outras

Pacote padrão 800

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Distribuidor de Renesas Electronics America

- A RF Digital fabrica uma extensa linha de Módulos Transmissores, Receptores e Transceptores RF sem fio configuráveis, adequados para quase todos os tipos de aplicações. Os módulos são totalmente integrados, de alta qualidade e baixo custo para beneficiar qualquer aplicação. A linha de produtos RFDuino oferece uma linha expansiva de módulos, incluindo sensor, USB, proto shields e outros para testar o Bluetooth Low Energy em um ambiente de protótipo plug and play.

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