RJK0856DPB-00#J5

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EXSHINE Modelo do Produto:	EX-RJK0856DPB-00#J5
Fabricante Modelo do Produto:	RJK0856DPB-00#J5
Fabricante / Marca:	Renesas Electronics America
Descrição breve:	MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:	Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:	New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:	RJK0856DPB
Inscrição:	-
Peso:	-
Substituição Alternativa:	-

Disponibilidade em tempo real de

RJK0856DPB-00#J5
Em estoque: 92570 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas

Descrição
Forma de pagamento
Remessa
Embalagem

Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id	-
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor	LFPAK
Série	-
RDS ON (Max) @ Id, VGS	8.9 mOhm @ 17.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)	65W (Tc)
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete	SC-100, SOT-669
Outros nomes	RJK0856DPB-00#J5-ND RJK0856DPB-00#J5TR
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)	1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante	16 Weeks
Número de peça do fabricante	RJK0856DPB-00#J5
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Característica FET	-
Descrição expandida	N-Channel 80V 35A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount LFPAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss)	80V
Descrição	MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	35A (Ta)

Outras

Outros nomes	RJK0856DPB-00#J5-ND RJK0856DPB-00#J5TR
Pacote padrão	2,500

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