CSD19538Q3AT

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EXSHINE Modelo do Produto:EX-CSD19538Q3AT
Fabricante Modelo do Produto:CSD19538Q3AT
Fabricante / Marca:Texas Instruments
Descrição breve:MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-VSONP (3x3.15)
Série NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 59 mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-PowerVDFN
Outros nomes 296-44473-2
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 6 Weeks
Número de peça do fabricante CSD19538Q3AT
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 454pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 4.3nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 100V 15A (Ta) 2.8W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100V
Descrição MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 15A (Ta)

Outras

Outros nomes 296-44473-2
Pacote padrão 250

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