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2SD2257(Q,M)
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-2SD2257(Q,M) |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | 2SD2257(Q,M) |
| Fabricante / Marca: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrição breve: | TRANS NPN 3A 100V TO220-3 |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | 2SD2257 |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
2SD2257(Q,M)
Em estoque: 10845 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 100V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.5mA, 1.5A |
| Tipo transistor | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220NIS |
| Série | - |
| Power - Max | 2W |
| Embalagem | Bulk |
| Caixa / Gabinete | TO-220-3 Full Pack |
| Outros nomes | 2SD2257(QM) 2SD2257QM |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante | 2SD2257(Q,M) |
| Frequência - Transição | - |
| Descrição expandida | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 2W Through Hole TO-220NIS |
| Descrição | TRANS NPN 3A 100V TO220-3 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 2000 @ 2A, 2V |
| Atual - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Outras
| Pacote padrão | 1 |
|---|---|
| Outros nomes | 2SD2257(QM) 2SD2257QM |
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Distribuidor de Toshiba Semiconductor and Storage
- A Touchstone Semiconductor Inc. cria soluções de circuitos integrados analógicos (IC) de alto desempenho que resolvem problemas críticos para empresas de produtos eletrônicos. Nossos produtos proprietários oferecem uma combinação única de recursos e desempenho que não podem ser encontrados em outras partes do mercado analógico. Nossos produtos de segunda origem são compatíveis com pinos e são idênticos às ofertas da concorrência, oferecendo uma alternativa ideal para produtos de origem única e difíceis de proteger. Fundada em 2010, a Touchstone está sediada em Milpitas, Califórnia. Seus investidores incluem a Opus Capital e a Khosla Ventures.
Nossa missão na Touchstone Semiconductor é projetar ICs analógicos de alto desempenho que ajudam você a resolver os problemas de seus clientes. Fazemos isso desenvolvendo CIs analógicos de alto desempenho e baixo consumo de energia que reduzem o consumo de energia em seus produtos.