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HN1A01FE-Y,LF
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-HN1A01FE-Y,LF |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | HN1A01FE-Y,LF |
| Fabricante / Marca: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrição breve: | TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | HN1A01FE |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
HN1A01FE-Y,LF
Em estoque: 69922000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Tipo transistor | 2 PNP (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | ES6 |
| Série | - |
| Power - Max | 100mW |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | SOT-563, SOT-666 |
| Outros nomes | HN1A01FE-Y(T5L,F,T HN1A01FE-Y(T5LFTTR HN1A01FE-Y(T5LFTTR-ND HN1A01FE-Y,LF(B HN1A01FE-Y,LF(T HN1A01FE-YLF(BTR HN1A01FE-YLF(BTR-ND HN1A01FE-YLFTR HN1A01FEYLFTR HN1A01FEYLFTR-ND |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante | HN1A01FE-Y,LF |
| Frequência - Transição | 80MHz |
| Descrição expandida | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Descrição | TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
| Atual - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Outras
| Pacote padrão | 4,000 |
|---|---|
| Outros nomes | HN1A01FE-Y(T5L,F,T HN1A01FE-Y(T5LFTTR HN1A01FE-Y(T5LFTTR-ND HN1A01FE-Y,LF(B HN1A01FE-Y,LF(T HN1A01FE-YLF(BTR HN1A01FE-YLF(BTR-ND HN1A01FE-YLFTR HN1A01FEYLFTR HN1A01FEYLFTR-ND |
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Distribuidor de Toshiba Semiconductor and Storage
- A Touchstone Semiconductor Inc. cria soluções de circuitos integrados analógicos (IC) de alto desempenho que resolvem problemas críticos para empresas de produtos eletrônicos. Nossos produtos proprietários oferecem uma combinação única de recursos e desempenho que não podem ser encontrados em outras partes do mercado analógico. Nossos produtos de segunda origem são compatíveis com pinos e são idênticos às ofertas da concorrência, oferecendo uma alternativa ideal para produtos de origem única e difíceis de proteger. Fundada em 2010, a Touchstone está sediada em Milpitas, Califórnia. Seus investidores incluem a Opus Capital e a Khosla Ventures.
Nossa missão na Touchstone Semiconductor é projetar ICs analógicos de alto desempenho que ajudam você a resolver os problemas de seus clientes. Fazemos isso desenvolvendo CIs analógicos de alto desempenho e baixo consumo de energia que reduzem o consumo de energia em seus produtos.