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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > HN3C51F-GR(TE85L,F
HN3C51F-GR(TE85L,F

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HN3C51F-GR(TE85L,F

EXSHINE Modelo do Produto:EX-HN3C51F-GR(TE85L,F
Fabricante Modelo do Produto:HN3C51F-GR(TE85L,F
Fabricante / Marca:Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição breve:TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:HN3C51F
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Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 120V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor 2 NPN (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor SM6
Série -
Power - Max 300mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SC-74, SOT-457
Outros nomes HN3C51F-GR(TE85L,F)
HN3C51F-GR(TE85LF)TR
HN3C51F-GR(TE85LF)TR-ND
HN3C51F-GR(TE85LFTR
HN3C51F-GRTE85LF
HN3C51FGR(TE85LFTR
HN3C51FGR(TE85LFTR-ND
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante HN3C51F-GR(TE85L,F
Frequência - Transição 100MHz
Descrição expandida Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Descrição TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Atual - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA

Outras

Outros nomes HN3C51F-GR(TE85L,F)

HN3C51F-GR(TE85LF)TR

HN3C51F-GR(TE85LF)TR-ND

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Distribuidor de Toshiba Semiconductor and Storage

- A Touchstone Semiconductor Inc. cria soluções de circuitos integrados analógicos (IC) de alto desempenho que resolvem problemas críticos para empresas de produtos eletrônicos. Nossos produtos proprietários oferecem uma combinação única de recursos e desempenho que não podem ser encontrados em outras partes do mercado analógico. Nossos produtos de segunda origem são compatíveis com pinos e são idênticos às ofertas da concorrência, oferecendo uma alternativa ideal para produtos de origem única e difíceis de proteger. Fundada em 2010, a Touchstone está sediada em Milpitas, Califórnia. Seus investidores incluem a Opus Capital e a Khosla Ventures.
Nossa missão na Touchstone Semiconductor é projetar ICs analógicos de alto desempenho que ajudam você a resolver os problemas de seus clientes. Fazemos isso desenvolvendo CIs analógicos de alto desempenho e baixo consumo de energia que reduzem o consumo de energia em seus produtos.

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