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TPN2010FNH,L1Q
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-TPN2010FNH,L1Q |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | TPN2010FNH,L1Q |
| Fabricante / Marca: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrição breve: | MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | TPN2010FNH |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
TPN2010FNH,L1Q
Em estoque: 87182000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Série | U-MOSVIII-H |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 198 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | 8-PowerVDFN |
| Outros nomes | TPN2010FNH,L1Q(M TPN2010FNHL1QTR |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 12 Weeks |
| Número de peça do fabricante | TPN2010FNH,L1Q |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - |
| Descrição expandida | N-Channel 250V 5.6A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 250V |
| Descrição | MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 5.6A (Ta) |
Outras
| Pacote padrão | 5,000 |
|---|---|
| Outros nomes | TPN2010FNH,L1Q(M TPN2010FNHL1QTR |
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Distribuidor de Toshiba Semiconductor and Storage
- A Touchstone Semiconductor Inc. cria soluções de circuitos integrados analógicos (IC) de alto desempenho que resolvem problemas críticos para empresas de produtos eletrônicos. Nossos produtos proprietários oferecem uma combinação única de recursos e desempenho que não podem ser encontrados em outras partes do mercado analógico. Nossos produtos de segunda origem são compatíveis com pinos e são idênticos às ofertas da concorrência, oferecendo uma alternativa ideal para produtos de origem única e difíceis de proteger. Fundada em 2010, a Touchstone está sediada em Milpitas, Califórnia. Seus investidores incluem a Opus Capital e a Khosla Ventures.
Nossa missão na Touchstone Semiconductor é projetar ICs analógicos de alto desempenho que ajudam você a resolver os problemas de seus clientes. Fazemos isso desenvolvendo CIs analógicos de alto desempenho e baixo consumo de energia que reduzem o consumo de energia em seus produtos.