EXSHINE Modelo do Produto: | EX-SI3585CDV-T1-GE3 |
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Fabricante Modelo do Produto: | SI3585CDV-T1-GE3 |
Fabricante / Marca: | Vishay / Siliconix |
Descrição breve: | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Condição: | New and unused, Original |
Download da Ficha Técnica: | SI3585CDV-T1-GE3 |
Inscrição: | - |
Peso: | - |
Substituição Alternativa: | - |
VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
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Embalagem do dispositivo fornecedor | 6-TSOP |
Série | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 58 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Power - Max | 1.4W, 1.3W |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Outros nomes | SI3585CDV-T1-GE3-ND SI3585CDV-T1-GE3TR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 24 Weeks |
Número de peça do fabricante | SI3585CDV-T1-GE3 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 10V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 10V |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Descrição expandida | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W Surface Mount 6-TSOP |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20V |
Descrição | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 3.9A, 2.1A |
Pacote padrão | 3,000 |
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Outros nomes | SI3585CDV-T1-GE3-ND SI3585CDV-T1-GE3TR |
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T / T (transferência bancária) Recebimento: 1-4 dias. |
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- O portfólio de produtos da Vishay é uma coleção inigualável de semicondutores discretos (diodos, MOSFETs e optoeletrônicos) e componentes passivos (resistores, indutores e capacitores). Esses componentes são usados em praticamente todos os tipos de dispositivos e equipamentos eletrônicos nos mercados industrial, de computação, automotivo, de consumo, de telecomunicações, militar, aeroespacial e médico. Vishay tem orgulho de ser um grande parceiro da exshinetech.com.