EXSHINE Modelo do Produto: | EX-SI4100DY-T1-GE3 |
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Fabricante Modelo do Produto: | SI4100DY-T1-GE3 |
Fabricante / Marca: | Vishay / Siliconix |
Descrição breve: | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC |
Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Condição: | New and unused, Original |
Download da Ficha Técnica: | SI4100DY |
Inscrição: | - |
Peso: | - |
Substituição Alternativa: | - |
VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-SO |
Série | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 63 mOhm @ 4.4A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 2.5W (Ta), 6W (Tc) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Outros nomes | SI4100DY-T1-GE3-ND SI4100DY-T1-GE3TR SI4100DYT1GE3 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 24 Weeks |
Número de peça do fabricante | SI4100DY-T1-GE3 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 50V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Descrição expandida | N-Channel 100V 6.8A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 6V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 100V |
Descrição | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 6.8A (Tc) |
Pacote padrão | 2,500 |
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Outros nomes | SI4100DY-T1-GE3-ND SI4100DY-T1-GE3TR SI4100DYT1GE3 |
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