SQJ456EP-T1_GE3

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SQJ456EP-T1_GE3

EXSHINE Modelo do Produto:EX-SQJ456EP-T1_GE3
Fabricante Modelo do Produto:SQJ456EP-T1_GE3
Fabricante / Marca:Vishay / Siliconix
Descrição breve:MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PowerPAK® SO-8
Série Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 26 mOhm @ 9.3A, 10V
Dissipação de energia (Max) 83W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete PowerPAK® SO-8
Outros nomes SQJ456EP-T1-GE3
SQJ456EP-T1-GE3-ND
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 18 Weeks
Número de peça do fabricante SQJ456EP-T1_GE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3342pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 100V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100V
Descrição MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 32A (Tc)

Outras

Outros nomes SQJ456EP-T1-GE3

SQJ456EP-T1-GE3-ND
Pacote padrão 3,000

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Distribuidor de Vishay Siliconix

- O portfólio de produtos da Vishay é uma coleção inigualável de semicondutores discretos (diodos, MOSFETs e optoeletrônicos) e componentes passivos (resistores, indutores e capacitores). Esses componentes são usados ​​em praticamente todos os tipos de dispositivos e equipamentos eletrônicos nos mercados industrial, de computação, automotivo, de consumo, de telecomunicações, militar, aeroespacial e médico. Vishay tem orgulho de ser um grande parceiro da exshinetech.com.

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