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SQJQ900E-T1_GE3

EXSHINE Modelo do Produto:EX-SQJQ900E-T1_GE3
Fabricante Modelo do Produto:SQJQ900E-T1_GE3
Fabricante / Marca:Vishay / Siliconix
Descrição breve:MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:SQJQzzzE(L)
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SQJQ900E-T1_GE3
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor PowerPAK® 8 x 8 Dual
Série Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3.9 mOhm @ 20A, 10V
Power - Max 135W
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete PowerPAK® 8 x 8 Dual
Outros nomes SQJQ900E-T1_GE3TR
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 18 Weeks
Número de peça do fabricante SQJQ900E-T1_GE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5900pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Standard
Descrição expandida Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 100A (Tc) 135W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40V
Descrição MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)

Outras

Outros nomes SQJQ900E-T1_GE3TR
Pacote padrão 2,000

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Distribuidor de Vishay Siliconix

- O portfólio de produtos da Vishay é uma coleção inigualável de semicondutores discretos (diodos, MOSFETs e optoeletrônicos) e componentes passivos (resistores, indutores e capacitores). Esses componentes são usados ​​em praticamente todos os tipos de dispositivos e equipamentos eletrônicos nos mercados industrial, de computação, automotivo, de consumo, de telecomunicações, militar, aeroespacial e médico. Vishay tem orgulho de ser um grande parceiro da exshinetech.com.

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