GAP3SLT33-214

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GAP3SLT33-214

EXSHINE Modelo do Produto:EX-GAP3SLT33-214
Fabricante Modelo do Produto:GAP3SLT33-214
Fabricante / Marca:GeneSiC Semiconductor
Descrição breve:DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:GAP3SLT33-214 Datasheet
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Parâmetro do produto

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 2.2V @ 300mA
Tensão - DC reversa (Vr) (Max) 3300V (3.3kV)
Embalagem do dispositivo fornecedor DO-214AA
Velocidade No Recovery Time > 500mA (Io)
Série -
Inversa de tempo de recuperação (trr) 0ns
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete DO-214AA, SMB
Outros nomes 1242-1172-2
GAP3SLT33214
Temperatura de Operação - Junção -55°C ~ 175°C
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 18 Weeks
Número de peça do fabricante GAP3SLT33-214
Descrição expandida Diode Silicon Carbide Schottky 3300V (3.3kV) 300mA (DC) Surface Mount DO-214AA
Tipo Diode Silicon Carbide Schottky
Descrição DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214
Atual - dispersão reversa @ Vr 10µA @ 3300V
Atual - rectificada média (Io) 300mA (DC)
Capacitância @ Vr, F 42pF @ 1V, 1MHz

Outras

Outros nomes 1242-1172-2

GAP3SLT33214
Pacote padrão 500

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Distribuidor de GeneSiC Semiconductor

- A Global Power Technologies Group, Inc. (“GPTG”), fundada em 2007, é uma empresa de desenvolvimento e fabricação integrada dedicada a produtos baseados em tecnologias de Carbeto de Silício (SiC). Esses produtos serão fundamentais para as indústrias de eletrônica de potência e energia nos próximos anos, onde tecnologias avançadas são necessárias para geração, conversão e transmissão de energia de baixo custo e alta eficiência.

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