CTLDM303N-M832DS TR

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CTLDM303N-M832DS TR

EXSHINE Modelo do Produto:EX-CTLDM303N-M832DS TR
Fabricante Modelo do Produto:CTLDM303N-M832DS TR
Fabricante / Marca:Central Semiconductor
Descrição breve:MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor TLM832DS
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 40 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power - Max 1.65W
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-TDFN Exposed Pad
Outros nomes CTLDM303N-M832DS TR LEAD FREE
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 6 Weeks
Número de peça do fabricante CTLDM303N-M832DS TR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Standard
Descrição expandida Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.6A 1.65W Surface Mount TLM832DS
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 3.6A

Outras

Pacote padrão 3,000
Outros nomes CTLDM303N-M832DS TR LEAD FREE

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Distribuidor de Central Semiconductor Corp

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