CTLDM3590 TR

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CTLDM3590 TR

EXSHINE Modelo do Produto:EX-CTLDM3590 TR
Fabricante Modelo do Produto:CTLDM3590 TR
Fabricante / Marca:Central Semiconductor
Descrição breve:MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) 8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TLM3D6D8
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3 Ohm @ 100mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 125mW (Ta)
Embalagem Original-Reel®
Caixa / Gabinete 3-XFDFN
Outros nomes CTLDM3590 DKR
Temperatura de operação -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante CTLDM3590 TR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 0.46nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 20V 160mA (Ta) 125mW (Ta) Surface Mount TLM3D6D8
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.2V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20V
Descrição MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 160mA (Ta)

Outras

Pacote padrão 1
Outros nomes CTLDM3590 DKR

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Distribuidor de Central Semiconductor Corp

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