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BSO615N G
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-BSO615N G |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | BSO615N G |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Descrição breve: | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | BSO 615NG |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
BSO615N G
Em estoque: 59667000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-DSO-8 |
| Série | SIPMOS® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Power - Max | 2W |
| Embalagem | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes | BSO615NGINDKR |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 12 Weeks |
| Número de peça do fabricante | BSO615N G |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Descrição expandida | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60V |
| Descrição | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2.6A |
Outras
| Pacote padrão | 1 |
|---|---|
| Outros nomes | BSO615NGINDKR |
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