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IPI086N10N3GXKSA1
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-IPI086N10N3GXKSA1 |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | IPI086N10N3GXKSA1 |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Descrição breve: | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | IPx08xN10N3 G |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
IPI086N10N3GXKSA1
Em estoque: 88281000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TO262-3 |
| Série | OptiMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 8.6 mOhm @ 73A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 125W (Tc) |
| Embalagem | Tube |
| Caixa / Gabinete | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Outros nomes | IPI086N10N3 G IPI086N10N3 G-ND IPI086N10N3G SP000485982 SP000683070 |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 14 Weeks |
| Número de peça do fabricante | IPI086N10N3GXKSA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 50V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - |
| Descrição expandida | N-Channel 100V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 6V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 100V |
| Descrição | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Outras
| Outros nomes | IPI086N10N3 G IPI086N10N3 G-ND IPI086N10N3G SP000485982 SP000683070 |
|---|---|
| Pacote padrão | 500 |
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