IPI100N06S3-03

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IPI100N06S3-03

EXSHINE Modelo do Produto:EX-IPI100N06S3-03
Fabricante Modelo do Produto:IPI100N06S3-03
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Descrição breve:MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:IPB(I,P)100N06S3-03
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IPI100N06S3-03
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 230µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO262-3
Série OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3.3 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max) 300W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes IPI100N06S303X
IPI100N06S303XK
SP000087992
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante IPI100N06S3-03
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 21620pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 480nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 55V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 55V
Descrição MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)

Outras

Outros nomes IPI100N06S303X

IPI100N06S303XK

SP000087992
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