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IPU80R2K8CEAKMA1
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-IPU80R2K8CEAKMA1 |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | IPU80R2K8CEAKMA1 |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Descrição breve: | MOSFET N-CH 800V TO251-3 |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | IPx80R2K8CE |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
IPU80R2K8CEAKMA1
Em estoque: 95398000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 120µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TO251-3 |
| Série | CoolMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 42W (Tc) |
| Embalagem | Tube |
| Caixa / Gabinete | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Outros nomes | SP001593932 |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 6 Weeks |
| Número de peça do fabricante | IPU80R2K8CEAKMA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - |
| Descrição expandida | N-Channel 800V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 800V |
| Descrição | MOSFET N-CH 800V TO251-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 1.9A (Tc) |
Outras
| Pacote padrão | 1,500 |
|---|---|
| Outros nomes | SP001593932 |
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