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APTGT50H60T1G

EXSHINE Modelo do Produto:EX-APTGT50H60T1G
Fabricante Modelo do Produto:APTGT50H60T1G
Fabricante / Marca:Microsemi
Descrição breve:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:APTGT50H60T1GPower Products Catalog
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APTGT50H60T1G
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Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Embalagem do dispositivo fornecedor SP1
Série -
Power - Max 176W
Caixa / Gabinete SP1
Temperatura de operação -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor Yes
Tipo de montagem Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 22 Weeks
Número de peça do fabricante APTGT50H60T1G
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V
Entrada Standard
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Descrição expandida IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 80A 176W Chassis Mount SP1
Descrição IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
Atual - Collector Cutoff (Max) 250µA
Atual - Collector (Ic) (Max) 80A
Configuração Full Bridge Inverter

Outras

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