APTGT50H60T2G

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EXSHINE Modelo do Produto:	EX-APTGT50H60T2G
Fabricante Modelo do Produto:	APTGT50H60T2G
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descrição breve:	MOD IGBT 600V 80A SP2
Status sem chumbo / Status RoHS:	Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:	New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:	APTGT50H60T2G
Inscrição:	-
Peso:	-
Substituição Alternativa:	-

Disponibilidade em tempo real de

APTGT50H60T2G
Em estoque: 73873 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas

Descrição
Forma de pagamento
Remessa
Embalagem

Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)	600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic	1.9V @ 15V, 50A
Embalagem do dispositivo fornecedor	SP2
Série	-
Power - Max	176W
Caixa / Gabinete	SP2
Temperatura de operação	-
NTC Thermistor	Yes
Tipo de montagem	Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)	1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante	APTGT50H60T2G
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce	3.15nF @ 25V
Entrada	Standard
Tipo de IGBT	Trench Field Stop
Descrição expandida	IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 80A 176W Chassis Mount SP2
Descrição	MOD IGBT 600V 80A SP2
Atual - Collector Cutoff (Max)	250µA
Atual - Collector (Ic) (Max)	80A
Configuração	Full Bridge Inverter

Outras

Pacote padrão	1

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