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APTM100DA18T1G
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-APTM100DA18T1G |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | APTM100DA18T1G |
| Fabricante / Marca: | Microsemi |
| Descrição breve: | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | APTM100DA18T1GPower Products Catalog |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
APTM100DA18T1G
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Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | SP1 |
| Série | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 216 mOhm @ 33A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 657W (Tc) |
| Embalagem | Bulk |
| Caixa / Gabinete | SP1 |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante | APTM100DA18T1G |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14800pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 570nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - |
| Descrição expandida | N-Channel 1000V (1kV) 40A 657W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Descrição | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 40A |
Outras
| Pacote padrão | 1 |
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