APTM100DSK35T3G

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EXSHINE Modelo do Produto:	EX-APTM100DSK35T3G
Fabricante Modelo do Produto:	APTM100DSK35T3G
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descrição breve:	MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Status sem chumbo / Status RoHS:	Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:	New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:	APTM100DSK35T3G Power Products Catalog
Inscrição:	-
Peso:	-
Substituição Alternativa:	-

Disponibilidade em tempo real de

APTM100DSK35T3G
Em estoque: 71170 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas

Descrição
Forma de pagamento
Remessa
Embalagem

Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Embalagem do dispositivo fornecedor	SP3
Série	-
RDS ON (Max) @ Id, VGS	420 mOhm @ 11A, 10V
Power - Max	390W
Embalagem	Bulk
Caixa / Gabinete	SP3
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)	1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante	22 Weeks
Número de peça do fabricante	APTM100DSK35T3G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	186nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Standard
Descrição expandida	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
Escorra a tensão de fonte (Vdss)	1000V (1kV)
Descrição	MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	22A

Outras

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