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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > RJK2508DPK-00#T0
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EXSHINE Modelo do Produto:EX-RJK2508DPK-00#T0
Fabricante Modelo do Produto:RJK2508DPK-00#T0
Fabricante / Marca:Renesas Electronics America
Descrição breve:MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:RJK2508DPK Datasheet
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-3P
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 64 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max) 150W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação -
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 16 Weeks
Número de peça do fabricante RJK2508DPK-00#T0
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 250V 50A (Ta) 150W (Tc) Through Hole TO-3P
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 250V
Descrição MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 50A (Ta)

Outras

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Distribuidor de Renesas Electronics America

- A RF Digital fabrica uma extensa linha de Módulos Transmissores, Receptores e Transceptores RF sem fio configuráveis, adequados para quase todos os tipos de aplicações. Os módulos são totalmente integrados, de alta qualidade e baixo custo para beneficiar qualquer aplicação. A linha de produtos RFDuino oferece uma linha expansiva de módulos, incluindo sensor, USB, proto shields e outros para testar o Bluetooth Low Energy em um ambiente de protótipo plug and play.

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