ALD114913PAL

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ALD114913PAL

EXSHINE Modelo do Produto:EX-ALD114913PAL
Fabricante Modelo do Produto:ALD114913PAL
Fabricante / Marca:Advanced Linear Devices, Inc.
Descrição breve:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:ALD114(,9)813
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 1.26V @ 1µA
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-PDIP
Série EPAD®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 500 Ohm @ 2.7V
Power - Max 500mW
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Outros nomes 1014-1065
Temperatura de operação 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 10 Weeks
Número de peça do fabricante ALD114913PAL
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Característica FET Depletion Mode
Descrição expandida Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 10.6V
Descrição MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 12mA, 3mA

Outras

Outros nomes 1014-1065
Pacote padrão 50

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Distribuidor de Advanced Linear Devices Inc.

- A Advanced Linear Devices, Inc. (ALD) desenvolve e fabrica circuitos integrados analógicos CMOS de precisão de baixíssima potência, produtos de nível de placa relacionados e Módulos de Coleta de Energia e acessórios incorporando a exclusiva tecnologia EPAD® da empresa. Os produtos semicondutores padrão da ALD incluem um complemento completo de switches analógicos de baixa voltagem de baixa voltagem para injeção ultrabaixa de alta qualidade, conversores A / D de dupla inclinação e processadores digitais, comparadores de voltagem de precisão, precisão de trilho a trilho Amplificadores operacionais CMOS e temporizadores CMOS de baixo desvio com alta saída de descarga, bem como uma extensa seleção de modo aprimoramento, depleção e de limiar zero EPAD compatíveis com matrizes MOSFET de pequeno sinal.

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