1N8026-GA

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EXSHINE Modelo do Produto:EX-1N8026-GA
Fabricante Modelo do Produto:1N8026-GA
Fabricante / Marca:GeneSiC Semiconductor
Descrição breve:DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Status sem chumbo / Status RoHS:Contém chumbo / RoHS não compatível
Condição:New and unused, Original
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Parâmetro do produto

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 1.6V @ 2.5A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max) 1200V (1.2kV)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-257
Velocidade No Recovery Time > 500mA (Io)
Série -
Inversa de tempo de recuperação (trr) 0ns
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-257-3
Outros nomes 1242-1113
1N8026GA
Temperatura de Operação - Junção -55°C ~ 250°C
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 18 Weeks
Número de peça do fabricante 1N8026-GA
Descrição expandida Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 8A (DC) Through Hole TO-257
Tipo Diode Silicon Carbide Schottky
Descrição DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Atual - dispersão reversa @ Vr 10µA @ 1200V
Atual - rectificada média (Io) 8A (DC)
Capacitância @ Vr, F 237pF @ 1V, 1MHz

Outras

Outros nomes 1242-1113

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Pacote padrão 10

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Distribuidor de GeneSiC Semiconductor

- A Global Power Technologies Group, Inc. (“GPTG”), fundada em 2007, é uma empresa de desenvolvimento e fabricação integrada dedicada a produtos baseados em tecnologias de Carbeto de Silício (SiC). Esses produtos serão fundamentais para as indústrias de eletrônica de potência e energia nos próximos anos, onde tecnologias avançadas são necessárias para geração, conversão e transmissão de energia de baixo custo e alta eficiência.

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