DB103G

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DB103G

EXSHINE Modelo do Produto:EX-DB103G
Fabricante Modelo do Produto:DB103G
Fabricante / Marca:GeneSiC Semiconductor
Descrição breve:DIODE BRIDGE 200V 1A DB
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:1
Download da Ficha Técnica:DB101G~104GDB(S);MDBS;WOM Pkg Drawing
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DB103G
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Parâmetro do produto

Tensão - Pico Reversa (Max) 200V
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 1.1V @ 1A
Tecnologia Standard
Embalagem do dispositivo fornecedor DB
Série -
Embalagem Bulk
Caixa / Gabinete 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Outros nomes 1242-1210
DB103GGN
DB103GGN-ND
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 4 Weeks
Número de peça do fabricante DB103G
Descrição expandida Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Through Hole DB
Tipo Diode Single Phase
Descrição DIODE BRIDGE 200V 1A DB
Atual - dispersão reversa @ Vr 10µA @ 200V
Atual - rectificada média (Io) 1A

Outras

Pacote padrão 2,500
Outros nomes 1242-1210

DB103GGN

DB103GGN-ND

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Distribuidor de GeneSiC Semiconductor

- A Global Power Technologies Group, Inc. (“GPTG”), fundada em 2007, é uma empresa de desenvolvimento e fabricação integrada dedicada a produtos baseados em tecnologias de Carbeto de Silício (SiC). Esses produtos serão fundamentais para as indústrias de eletrônica de potência e energia nos próximos anos, onde tecnologias avançadas são necessárias para geração, conversão e transmissão de energia de baixo custo e alta eficiência.

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