GA20SICP12-247

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EXSHINE Modelo do Produto:EX-GA20SICP12-247
Fabricante Modelo do Produto:GA20SICP12-247
Fabricante / Marca:GeneSiC Semiconductor
Descrição breve:TRANS SJT 1200V 45A TO247
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id -
Tecnologia SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-247AB
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 50 mOhm @ 20A
Dissipação de energia (Max) 282W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-247-3
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 18 Weeks
Número de peça do fabricante GA20SICP12-247
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3091pF @ 800V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs -
Tipo FET -
Característica FET -
Descrição expandida 1200V (1.2kV) 45A (Tc) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 1200V (1.2kV)
Descrição TRANS SJT 1200V 45A TO247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 45A (Tc)

Outras

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Distribuidor de GeneSiC Semiconductor

- A Global Power Technologies Group, Inc. (“GPTG”), fundada em 2007, é uma empresa de desenvolvimento e fabricação integrada dedicada a produtos baseados em tecnologias de Carbeto de Silício (SiC). Esses produtos serão fundamentais para as indústrias de eletrônica de potência e energia nos próximos anos, onde tecnologias avançadas são necessárias para geração, conversão e transmissão de energia de baixo custo e alta eficiência.

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